پاورپوینت نوردهی (لیتوگرافی) در تکنولوژی ساخت نیمه هادی ها
توضیحات:
سمینار کارشناسی ارشد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها با عنوان نوردهی یا لیتوگرافی در قالب 22 اسلاید زیبا به همراه نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت لیتوگرافی)
بخشی از متن:
لیتوگرافی فرایند متداول در ساخت مدارات مجتمع می باشد.
بطور کلی هدف لیتوگرافی ایجاد الگوی مناسب بر روی ویفر می باشد.
انتقال طرح مورد نظر از یک ماسک به ویفر
بررسی انواع مختلف اشعه استفاده شده در فرآیند لیتوگرافی
بررسی روشهای اتصال ماسک به ویفر
فهرست مطالب:
مقدمه
تاریخچه
اساس لیتوگرافی
نقاب ها
روش های لیتوگرافی
نتیجه گیری
منابع
تعداد مشاهده: 1352 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 22
حجم فایل:832 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
مناسب جهت استفاده دانشجویان رشته برق
-
محتوای فایل دانلودی:
در قالب فایل پاورپوینت و قابل ویرایش
پاورپوینت ساخت مسفت (mesfet) در نیمه هادی ها
توضیحات:
سمینار کارشناسی ارشد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها با عنوان ساخت مسفت (mesfet) در قالب 14 اسلاید زیبا به همراه نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت ساخت مسفت)
بخشی از متن:
از جمله ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه هادی می باشدکه به دلیل خواص منحصر بفردش از جمله سادگی ساخت، مشخصه سیگنال به نویز خوب و فرکانس کار بالا یکی از شاخص ترین عناصر مخابراتی در باند مایکروویو می باشد. دقت شود که خواص سریع این ترانزیستور ها به کمک انتخاب ماده مناسب کنترل دقیق ابعاد مهم قطعه و حداقل کردان اثرات طفیلی بدست می آید.
فهرست مطالب:
مقدمه
تاریخچه
نکات ساخت
مراحل ساخت
قطعه نهایی
مراجع
تعداد مشاهده: 1090 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 14
حجم فایل:1,169 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
مناسب جهت استفاده دانشجویان رشته برق
-
محتوای فایل دانلودی:
در قالب فایل پاورپوینت و قابل ویرایش
پاورپوینت فرایند ساخت نیمه هادی (نفوذ یا دیفیوژن)
توضیحات:
سمینار کارشناسی ارشد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها با عنوان نفوذ یا دیفیوژن در قالب 28 اسلاید به همراه نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت نفوذ ناخالصی)
بخشی از متن:
به فرایند وارد کردن اتم ناخالصی با استفاده از حرارت در نیمه هادی به منظور تغییر در هدایت
الکتریکی را فرایند نفوذ اطلاق میشود.
استفاده از روش نفوذ ناخالصی برای تغییر هدایت الکتریکی نیمه هادی ها ی سیلیکین و ژرمانیم نخستین بار در سال 1952 توسط پفن ارائه شد.
روش های مختلفی برای نفوذ ناخالصی مطرح شده است که هدف اصلی ،بررسی نحوه توزیع ناخالصی در نیمه هادی و یافتن روش هایی برای کنترل دقیقتر ویکنواخت ترفرایند نفوذ می باشد.
فهرست مطالب:
مقدمه
کاربرد نفوذ
روش های نفوذ
روش های اندازه گیری
نفوذ کننده سریع
وابستگی ضرایب نفوذ
نتیجه گیری
منابع
تعداد مشاهده: 1081 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: pptx
تعداد صفحات: 28
حجم فایل:8,536 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
مناسب جهت استفاده دانشجویان رشته برق
-
محتوای فایل دانلودی:
در قالب فایل پاورپوینت و قابل ویرایش